C/C复合材料SiC/SiO2涂层的制备及其抗氧化性能

为提高C/C复合材料的抗氧化性能，采用包埋法和低压化学气相法制备了 S1C/S102涂层。借助 XRD、SEM和EDS等测试手段分析了复合涂层的微观结构,并研究了其在1 273、773 K静态空气中的抗氧化 性能。结果表明,包埋法制备的SiC涂层具有一定的浓度梯度。低压化学气相法制备的非晶SiO2外涂层则有 效地封堵了 SiC内涂层的的裂纹和孔洞，并解决了 SiC涂层在中温区(1 073 ~1 473 K)无法形成完整SiO?膜的 问题。在1 273、773 K静态空气中经10 h氧化后，涂层试样的质量损失率分别仅有4.97和0.36mg/cm2，表 现出良好的抗氧化性能。

TaC 涂层的氧化特征与氧化机制

用在空气中氧化、氧炔焰超高温烧蚀等方法对TaC涂层在不同温度的氧化特征与氧化机制进行研究。研 究结果表明：TaC在508 C以上开始氧化，在508~690 C时氧化产物为六角Ta?。?固溶体，690~900 C时氧化产 物转化为斜方Ta?O5晶体，900~1 500 °C时氧化产物为斜方Ta?O5,其形态为龟裂或多孔烧结态，未能形成对TaC 的隔离保护膜；1 500 C氧化时岀现部分Ta?O5液相与Ta?O5斜方相共存的现象；在氧炔焰超高温2 300 C烧蚀时 形成大量的Ta?O5熔体液膜，熔体与TaC的润湿性很好。TaC涂层由低温无熔体情况下界面反应控制机制变为氧 通过熔体溶解与扩散的控制机制。

C/C复合材料基TaC涂层低功率激光烧蚀特征①

为研究TaC涂层的高温烧蚀特征和机理，用低功率激光仪对TaC涂层进行了不同时间的烧蚀试验，并 用XRD, SEM等观测了该涂层在空气中的氧化与烧蚀过程。结果表明：在大气环境下激光烧蚀的开始阶段是 TaC涂层的分解与游离碳向表面扩散，随即氧化生成含碳、氧、铉的熔体，随着时间的延长熔体氧化为低价的钳 氧化物，最后生成Ta2O5；熔体在冷却过程中析出Ta2O5针状晶体。在熔体与TaC之间存在1 ~2Pm由细小的晶 体和孔隙组成的扩散过渡层，过渡层由碳、氧、钮组成。

浆料注射法制备 Cf/SiC-ZrC 复合材料及其 力学和抗氧化性能

本文以 SiC 粉和 ZrC 粉为原料，配制固含量体积分数为 30%的水基陶瓷浆料，分别采用浆料注射法和真 空浸渍法将浆料引入到密度为 0.2 g/cm3 的碳纤维预制体中，结合化学气相渗透和反应熔渗工艺制备 Cf/SiC-ZrC 复合材料。观察分析素坯和 Cf/SiC-ZrC 复合材料的形貌与组织结构，测定复合材料的密度、开孔率、抗弯强度和 抗氧化等性能。结果表明，相比真空浸渍法，浆料注射法能一次将SiC粉和ZrC粉均匀引入碳纤维预制体中，坯 体体积一次填充37.3%。注射后处理样的平均密度为2.91 g/cm3，中心和外层的抗弯强度相差较小，分别为41.12 MPa和43.90 MPa，材料的断裂方式均表现为假塑性断裂,。注射后处理样在空气中氧化120 min后，表面形成了 较为连续致密的氧化层，氧化趋于平衡稳定，表现出较好的抗氧化性能。

TaC复合材料

金属基复合材料因其特有的高比强度、高比模量、耐磨和耐高温等优势而受到各国材料领域科学家的广泛关注。关于金属基复合材料的研究主要集中在整体均匀复合， 但由于磨损只发生在零件表面，整体复合不利于材料的回收和再利用，对环境造成污染。另一方面，许多研究表明，耐磨材料需要同时具有高硬度和高韧性， 而整体复合只提高了硬度，却不能使韧性得到改善，而金属-陶瓷复合材料既保持了陶瓷的高硬度、高耐磨性等优良性能，又具有金属基体的高韧性、高延展性。

碳化硅涂层

碳化硅涂层是指采用物理或化学气相沉积、喷涂等方法在零件表面制备SIC涂层的方法。

半导体行业动态

刚刚过去的2021年对于全球和中国半导体行业是风云变幻、非同寻常的一年。在2021年，新冠疫情依然肆虐，可能未来几年仍然是全球半导体产业发展的制约因素；芯片供应短缺问题笼罩了2021年全年，据高盛研究报告，全球有多达169个行业，在一定程度上受到芯片短缺影响，从汽车、钢铁产品、混凝土生产到空调制造等；地缘政治依然深刻影响着全球半导体产业的发展，给全球半导体产业发展增加不确定性。